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异质结电池接触电阻率的测量方法: 本申请提供了一种异质结电池接触电阻率的测量方法，异质结电池包括掺杂硅层、位于掺杂硅层上的透明导电层、多根间隔排列在透明导电层上的栅线，包括：对电池片进行划片，以获取待测单元电池片；测量栅线与透明导电层之间的第一接触电阻(...; 李宏伟姜倩倩胡匀匀孟子博杨广涛

一种提高燃料电池堆节间接触电阻一致性的方法: 本发明提供一种提高燃料电池堆节间接触电阻一致性的方法，该方法对换节后的燃料电池堆进行活化，活化后利用空气和氢气分别对电池的阴极侧和阳极侧进行带载吹扫，完成吹扫后将电堆置于高低温试验箱内进行冻解循环，经过数次冻解循环后即完...; 吕平孙昕邢丹敏韩猛史杰夫张扬

接线盒接触电阻测试装置: 本实用新型属于接线盒测试技术领域，公开了接线盒接触电阻测试装置。接线盒接触电阻测试装置包括基座和抵压组件，基座上设置有限位槽组，限位槽组包括两个相间隔设置的限位槽，两个接线盒的盒体能够分别限位于两个限位槽内，基座上还设置...; 郑朋朋彭祁军涂圣明

一种温控器接触电阻测试预警方法: 本发明公开了一种温控器接触电阻测试预警方法，涉及接触电阻测试技术领域。该方法包括：判断温控器内部的接触电阻是否出现异常并获取判断结果；判断温控器外部的接触电阻是否出现异常并获取判断结果；对第一判断结果和第二判断结果进行分...; 梁业勇吴颂林梁文赖建

一种低接触电阻安全插座: 一种低接触电阻安全插座，涉及电器设备技术领域。由通过孔洞相连通且内部填充有液态合金金属的两个容器组成，第二容器内液态合金金属液面上方悬浮设置有柔软薄片和铁磁金属板，外侧底部设置有电磁铁。本发明的低接触电阻安全插座，当插头...; 王锌桐王晓波张银奎程琳郭成英

一种有效减小接触电阻的垂直探针总成: 本发明涉及探针技术领域，并公开了一种有效减小接触电阻的垂直探针总成，包括连接部，所述连接部包括水平板，所述水平板通过设置在其上表面的空心管固定连接有连接杆，且该连接杆的顶端与外部测量设备相连接，尖端部，所述尖端部包括尖端...; 虞新剑

一种改善接触电阻的TOPCon电池及其制备方法: 本申请涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种改善接触电阻的TOPCon电池及其制备方法，TOPCon电池包括：硅基底、磷掺杂区、正面钝化层、正面减反膜、正面栅线、隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层、背面减反膜以及背面栅线，背面减反膜...; 徐建东浩瀚

晶硅异质结(HJT)太阳电池电子接触电阻率测量: 2025年; 对太阳电池而言,较低的接触电阻率是实现高转换效率的关键参数,特别是对于载流子选择接触的结构,比如晶硅异质结(HJT)太阳电池。接触电阻率(ρ_c)通常用Cox-Strack方法(简称CSM)或转移长度方法(TLM)计算得到。无论是哪种方法,均需要在特定金属电极图案下测得,而难于在真实的太阳电池器件中测得。对于硅基异质结(HJT)太阳电池而言,接触电阻率(ρ_c)包含银(Ag)电极与氧化铟锡(ITO)的接触电阻率ρ_(c1),以及ITO与p或n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)。为此,要精确测得ρ_(c1)和ρ_(c2),需分别制备特定结构以便测量。该文提出一种新的TLM测试方法,在实际的HJT太阳电池器件上,同时测量出电子在Ag/ITO界面的接触电阻率ρ_(c1)值2.5~3.1 mΩ·cm^(2),ITO与n型掺杂非晶硅的隧穿接触电阻率ρ_(c2)值21~24 mΩ·cm^(2)。这两个值与文献报道基本一致。; 吴坚李硕; 关键词：硅太阳电池异质结接触电阻

一种接触电阻热打印头: 本实用新型提出了一种接触电阻热打印头，属于增材制造技术领域；该打印头上端设有压力传感器，打印过程中铜电极压缩弹簧，弹簧将压力传导到压力传感器，压力传感器将压力信息传输给控制器，控制器输出控制信号到压力电机，压力电机推动滑...; 卢秉恒吕佳文李波波李战鑫张琦刘靖驰

一种低接触电阻有机薄膜晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种低接触电阻有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体技术领域，该低接触电阻有机薄膜晶体管包括硅‑铪基铁电衬底，硅‑铪基铁电衬底的顶端设置有有机半导体薄膜，有机半导体薄膜的顶端一侧设置有第一共晶铟镓合金，有...; 支梧同王彬周康孙萌王鑫雨熊傲然许振斌乔公国

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