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SiC/Si混合开关时间延迟及其信号调制方法: 2025年; SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了更简单高效地生成SiC/Si HyS的SiC MOSFET和Si IGBT驱动信号,该文提出一种针对最小SiC导通模式的信号调制电路,通过配置对应的RC缓冲电路中的电阻、电容值即可调节控制模式中的四个时间尺度,该方法具有灵活简单等优点。首先,理论分析最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS结构损耗分布特性;其次,给出信号调制电路原理并介绍信号调制电路的工作原理,建立RC缓冲电路参数和时间尺度之间的函数方程;最后,基于搭建的SiC/Si HyS硬件平台,在双脉冲测试电路中验证最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS损耗特性和所提信号调制电路的有效性,并在1.5 kW两电平逆变器中检验所提信号调制电路的动态运行特性。; 丁四宝王盼宝王卫徐殿国; 关键词：MOSFET IGBT 混合开关开关损耗信号调制

开关时间减少的射频开关电路: 本发明提供了一种开关时间减少的射频开关电路。该RF开关电路包括耦合在输入节点、输出节点和栅极驱动节点之间的多个FET。当在所述栅极驱动节点处提供正供电电压时，所述多个FET接通并且在所述输入节点与所述输出节点之间提供低阻...; 巴克尔·斯科特乔治·马克西姆帕德玛希尼·迪西肯迪尔克·罗伯特·沃尔特·莱波尔德

基于开关时间重新分配的连续过调制方法: 本发明涉及机器人技术领域，具体为基于开关时间重新分配的连续过调制方法，包括以下步骤：步骤一、判断是否进入过调制状态；步骤二、查表矫正指令输出电压；步骤三、计算当前指令输出电压所在的扇区，计算对应的扇区的开关时间T<Sub...; 齐太安王家慧林盛王军王飞俊汪良辉孙维超

高精度高速度的射频开关的开关时间测试方法、系统和设备: 本发明涉及高精度高速度的射频开关的开关时间测试方法、系统和设备，先根据被测件的特性设置测试周期，再通过实时示波器采集每个采样时刻下的控制电压的测量值和通过开关的射频信号电压测量值，并对采集的射频信号进行包络计算，然后根据...; 祁政邱文斌雷启英

时间交织模数转换器中的斩波开关时间偏斜校准: 一种示例时间偏斜校准电路包括多个第一电路(702)，每个第一电路包括第一累加器(720)和第二累加器(722)。时间偏斜校准电路还包括多个第二电路(704)，每个第二电路包括耦合到第一累加器和第二累加器的输出的第一加法器...; B·W·维布鲁根C·埃德曼B·M·瓦兹

电力电子变换器中功率器件开关时间在线监测系统和方法: 本发明涉及一种电力电子变换器中功率器件开关时间在线监测系统和方法，包括高频振荡电流传感器、模态提取模块、幅值特征检测模块和开关时间估计模块，所述高频振荡电流传感器用于在线提取半桥电路输出电流中的高频振荡电流；所述模态提取...; 李豪向大为

用于减少RF FET开关器件的开关时间的方法和装置: 描述了用于减少RF FET开关器件的开关时间的装置。FET开关堆叠包括FET开关的堆叠布置和多个栅极馈送布置，每个栅极馈送布置耦接在堆叠布置的不同高度处。还描述了具有串联RF FET开关和分流RF FET开关的组合的电路...; 拉文德拉纳特·D·什里瓦斯塔瓦弗莱明·拉姆佩曼·尚贾尼

一种GaNHEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法: 本发明公开了一种GaN HEMT功率器开关时间测试中栅极震荡优化方法，属于栅极震荡优化技术领域，GaN HEMT器件源极管脚处将栅源电流Igs和漏源电流Ids的共源对地回路进行分割，漏源电流Ids的对栅极驱动电压Vgs的...; 罗景涛严可为

一种最小开关时间电路及开关电源的功率级电路: 本申请实施例提供了一种最小开关时间电路及开关电源的功率级电路。最小开关时间电路包括：顺序连接的与非门一、对高脉冲进行第一级处理的第一级最小时间单元、对低脉冲进行第二级处理的第二级最小时间单元、反相器三；反馈结构，反馈结构...; 张文林陈悦

功率因数校正电路的开关时间算法、控制方法及电源电路: 本发明涉及电源技术领域，具体地涉及一种功率因数校正电路的开关时间算法、工作模式控制方法、频率控制方法及电源电路。本发明中的功率因数校正电路的开关时间算法，包括采样步骤，采样功率因数校正电路的输入电压和输出电压；计算步骤，...; 冯尚华张倩杨焕弟

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