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双异质结构
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
基于二维材料的
双
异质
结构
的柔性光电探测器及其制备工艺
本发明公开了一种基于二维材料的
双
异质
结构
的柔性光电探测器及其制备工艺。该探测器包括聚对苯二甲酸乙二酯基底(PET)、单层二硫化钼、石墨烯、碳纳米管薄膜和金属电极。该探测器一共有两对
异质
结,分别是碳纳米管薄膜/石墨烯
异质
结...
杨树明
张泽
王亮亮
吉培瑞
王筱岷
邓惠文
袁野
一种
双
异质
结构
高强塑性低密度钢及其制备方法
本发明属于金属材料设计及制备的技术领域,具体涉及一种
双
异质
结构
高强塑性低密度钢及其制备方法。本发明提出的
双
异质
结构
高强塑性低密度钢,包括大量Al元素的添加,可以大幅度降低材料密度,并通过Ni的合金化引入不可剪切的NiAl...
高军恒
耿笑笑
汪水泽
毛新平
AlGaN/GaN/AlGaN
双
异质
结构
双
极特性的研究
2024年
通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN
双
异质
结构
能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层厚度增加,GaN沟道层/AlGaN缓冲层界面(底部界面)的势垒高度会增加。当沟道层厚度达到50nm后,在缓冲层Al组分为0.08的情况下,该
异质
结构
会在底部界面附近诱导出2DHG,出现“
双
极特性”。一旦2DHG形成,缓冲层Al组分的持续增加将导致更高密度的2DHG,而对能带、2DEG限域性和2DEG密度的影响变得不明显。
韩铁成
彭晓灿
关键词:
二维电子气
一种
双
异质
结构
高强塑性低密度钢及其制备方法
本发明属于金属材料设计及制备的技术领域,具体涉及一种
双
异质
结构
高强塑性低密度钢及其制备方法。本发明提出的
双
异质
结构
高强塑性低密度钢,包括大量Al元素的添加,可以大幅度降低材料密度,并通过Ni的合金化引入不可剪切的NiAl...
高军恒
耿笑笑
汪水泽
毛新平
一种
双
异质
结构
材料及其制备方法与应用
本发明属于催化材料技术领域,具体涉及一种
双
异质
结构
材料及其制备方法与应用。本发明先将g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与TiO<Sub>2</Sub>材料复合,再利用CuO作为电子受体,发挥桥接作用...
付鹏
吴玉静
李治宇
代蕾
张玉春
田纯焱
一种
双
异质
结构
电催化剂的制备方法及其应用
本发明涉及一种
双
异质
结构
电催化剂的制备方法及其应用,首先制备两相的TiO<Sub>2</Sub>(Anatase‑B)纳米片组装微米球,将冰乙酸在容器中持续搅拌,量取钛酸四丁酯,滴入搅拌中的冰乙酸溶液中,当混合溶液逐渐变...
陈琳
张锋
赵帅
韦建卫
周密
胡南
苏萍
胡鹏
张伟杰
李语燕
李巧梅
马增威
乔琛凯
刘改琴
胡小林
张翠玲
刘建林
基于二维材料的
双
异质
结构
的柔性光电探测器及其制备工艺
本发明公开了一种基于二维材料的
双
异质
结构
的柔性光电探测器及其制备工艺。该探测器包括聚对苯二甲酸乙二酯基底(PET)、单层二硫化钼、石墨烯、碳纳米管薄膜和金属电极。该探测器一共有两对
异质
结,分别是碳纳米管薄膜/石墨烯
异质
结...
杨树明
张泽
王亮亮
吉培瑞
王筱岷
邓惠文
袁野
文献传递
一种用于原位检测的
双
异质
结构
表面增强拉曼基底及其制备方法和应用
本发明涉及一种用于原位检测的
双
异质
结构
表面增强拉曼基底及其制备方法和应用,方法包括将涤纶树脂薄膜的表面溅射氧化铜籽晶层,然后将其放入电化学电池体系中,使氧化铜籽晶层成为氧化铜纳米线,得到负载氧化铜纳米线的涤纶树脂薄膜;配...
郁菁
魏义胜
雷风采
文献传递
双
异质
结构
光催化剂及其应用和制备方法
本发明公开了一种
双
异质
结构
光催化剂及其应用和制备方法,为TiO<Sub>2</Sub>/金属/SrSO<Sub>4</Sub>
双
异质
结构
材料。在光降解污染物和光分解水制氢上应用。制备方法,包括如下步骤:步骤(1)、
异质
结...
胡陈果
刘建林
张翠玲
王雪
奚伊
文献传递
一种用于原位检测的
双
异质
结构
表面增强拉曼基底及其制备方法和应用
本发明涉及一种用于原位检测的
双
异质
结构
表面增强拉曼基底及其制备方法和应用,方法包括将涤纶树脂薄膜的表面溅射氧化铜籽晶层,然后将其放入电化学电池体系中,使氧化铜籽晶层成为氧化铜纳米线,得到负载氧化铜纳米线的涤纶树脂薄膜;配...
郁菁
魏义胜
雷风采
文献传递
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王晓亮
作品数:286
被引量:149
H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
王翠梅
作品数:102
被引量:20
H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
刘建林
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作品数:153
被引量:26
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供职机构:中国科学院半导体研究所
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奚伊
作品数:52
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供职机构:重庆大学
研究主题:发电机 纳米发电机 纳米晶体材料 电容特性 电极
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