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基于二维材料的异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺
本发明公开了一种基于二维材料的异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺。该探测器包括聚对苯二甲酸乙二酯基底(PET)、单层二硫化钼、石墨烯、碳纳米管薄膜和金属电极。该探测器一共有两对异质结,分别是碳纳米管薄膜/石墨烯异质结...
杨树明张泽王亮亮吉培瑞王筱岷邓惠文袁野
一种异质结构高强塑性低密度钢及其制备方法
本发明属于金属材料设计及制备的技术领域,具体涉及一种异质结构高强塑性低密度钢及其制备方法。本发明提出的异质结构高强塑性低密度钢,包括大量Al元素的添加,可以大幅度降低材料密度,并通过Ni的合金化引入不可剪切的NiAl...
高军恒 耿笑笑 汪水泽毛新平
AlGaN/GaN/AlGaN异质结构极特性的研究
2024年
通过一维薛定谔-泊松方程自洽仿真,研究了AlGaN缓冲层组分(0~0.08)和GaN沟道层(20,50和80nm)对AlGaN/GaN/AlGaN异质结构能带和载流子分布的影响。缓冲层Al组分的增加可有效抬高沟道层背部的势垒,从而提高2DEG的限域性。随着GaN沟道层厚度增加,GaN沟道层/AlGaN缓冲层界面(底部界面)的势垒高度会增加。当沟道层厚度达到50nm后,在缓冲层Al组分为0.08的情况下,该异质结构会在底部界面附近诱导出2DHG,出现“极特性”。一旦2DHG形成,缓冲层Al组分的持续增加将导致更高密度的2DHG,而对能带、2DEG限域性和2DEG密度的影响变得不明显。
韩铁成彭晓灿
关键词:二维电子气
一种异质结构高强塑性低密度钢及其制备方法
本发明属于金属材料设计及制备的技术领域,具体涉及一种异质结构高强塑性低密度钢及其制备方法。本发明提出的异质结构高强塑性低密度钢,包括大量Al元素的添加,可以大幅度降低材料密度,并通过Ni的合金化引入不可剪切的NiAl...
高军恒耿笑笑汪水泽毛新平
一种异质结构材料及其制备方法与应用
本发明属于催化材料技术领域,具体涉及一种异质结构材料及其制备方法与应用。本发明先将g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与TiO<Sub>2</Sub>材料复合,再利用CuO作为电子受体,发挥桥接作用...
付鹏 吴玉静 李治宇 代蕾张玉春 田纯焱
一种异质结构电催化剂的制备方法及其应用
本发明涉及一种异质结构电催化剂的制备方法及其应用,首先制备两相的TiO<Sub>2</Sub>(Anatase‑B)纳米片组装微米球,将冰乙酸在容器中持续搅拌,量取钛酸四丁酯,滴入搅拌中的冰乙酸溶液中,当混合溶液逐渐变...
陈琳张锋赵帅韦建卫周密胡南苏萍胡鹏张伟杰李语燕李巧梅马增威乔琛凯刘改琴胡小林张翠玲刘建林
基于二维材料的异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺
本发明公开了一种基于二维材料的异质结构的柔性光电探测器及其制备工艺。该探测器包括聚对苯二甲酸乙二酯基底(PET)、单层二硫化钼、石墨烯、碳纳米管薄膜和金属电极。该探测器一共有两对异质结,分别是碳纳米管薄膜/石墨烯异质结...
杨树明张泽王亮亮吉培瑞王筱岷邓惠文袁野
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一种用于原位检测的异质结构表面增强拉曼基底及其制备方法和应用
本发明涉及一种用于原位检测的异质结构表面增强拉曼基底及其制备方法和应用,方法包括将涤纶树脂薄膜的表面溅射氧化铜籽晶层,然后将其放入电化学电池体系中,使氧化铜籽晶层成为氧化铜纳米线,得到负载氧化铜纳米线的涤纶树脂薄膜;配...
郁菁魏义胜雷风采
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异质结构光催化剂及其应用和制备方法
本发明公开了一种异质结构光催化剂及其应用和制备方法,为TiO<Sub>2</Sub>/金属/SrSO<Sub>4</Sub>异质结构材料。在光降解污染物和光分解水制氢上应用。制备方法,包括如下步骤:步骤(1)、异质结...
胡陈果刘建林张翠玲王雪奚伊
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一种用于原位检测的异质结构表面增强拉曼基底及其制备方法和应用
本发明涉及一种用于原位检测的异质结构表面增强拉曼基底及其制备方法和应用,方法包括将涤纶树脂薄膜的表面溅射氧化铜籽晶层,然后将其放入电化学电池体系中,使氧化铜籽晶层成为氧化铜纳米线,得到负载氧化铜纳米线的涤纶树脂薄膜;配...
郁菁魏义胜雷风采
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王晓亮
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供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
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研究主题:双异质结构 单质硫 光降解 光分解 光催化剂
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作品数:153被引量:26H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
奚伊
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